新版“华为孟晚舟”事件：美国再出黑手 国产存储芯片崛起堪忧

导语：“华为孟晚舟”事件可谓是牵动着很多国人的心。尽管目前其中还有很多细节，是我们无法得知的，因此案件最终走向也是无法预测。但是，此事件拉开美国抵制华为的导火索，让更多国人看到美国政府居然能够利用国家力量来对抗一个企业，可怕的同时也不免有一些欣喜……

可是，新版”华为孟晚舟“事件再度重现，美国法院再度出手。据彭博社6月26日消息称，美国旧金山法院发出逮捕令，拘捕涉嫌盗取美国美光DRAM核心技术的三名人员，分别是福建晋华总经理陈正坤，从美光跳槽联电的工程师何建廷和王永明。

而美光在中国台湾控诉联电窃密案提前美国先有了结果，台中地方法院经过2年9个月的审理，于今年6月，根据《营业秘密法》指控台湾联华电子（简称联电）三名高管戎乐天、何建廷与王永铭，三人均判以重刑，联电被判处罚金1亿新台币。

这两起案件都与联电与福建晋华的合作有关。福建晋华在2016年2月成立后至5月，与台湾联华电子签订协议联合开发DRAM 相关技术。2017年9月，美光在台湾控告从美光跳槽至联电的员工涉嫌将美光的技术泄露给联电，帮助联电开发32nm DRAM。2017年12月，美光在美控告福建晋华与联电，称联电通过美光台湾员工窃取其知识产权，并将该技术转让给福建晋华。

针对美国窃取美光知识产权的诉讼，福建晋华回应称：”不存在！“

对付中国企业，美国连逮捕令都用上，真是无所不用其极。但是，中国并没有与美国签订引渡条约，如果此三人在大陆的话，那就基本没有引渡到美国的风险，可是万一在台湾或者其他与美国存在引渡条约的国家，那么，此三人将成为新版”华为孟晚舟“。

福建晋华是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资，就在即将投产之际，美光的专利诉讼接踵而至。网上有传言，福建晋华将放弃DRAM存储芯片生产转向晶圆厂代工，以期和美光和解。目前，福建晋华官网上的大事记已经停更在2018年10月20日开始试产投片。

看来是，还没有出来也就夭折，国产存储芯片崛起堪忧。尽管目前，国内存储芯片供需缺口很大，但是随着福建晋华的停工，目前国内存储芯片巨头也就剩下长鑫（兆易创新）和紫光。不过紫光主要业务是DRAM内存研发，但是没有生产能力。紫光明确表示无意进入闪存芯片制造领域。剩下的长鑫，目前相对国际领先企业三星在存储芯片工艺方面相差2到3代。

这就是现实！这是需要我们正视的问题！

如今，英特尔依靠颠覆传统存储芯片的3D XPoint，快速成长为全球第5大NAND供应商。只有技术才是硬道理，弯道超车或许并不是说去规避前人科研过程的风险，而是去思考如何创造新的赛道！

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