厉害了我的国！中国又一项新发明 比U盘快了上万倍！

2018年4月11日讯，新华社上海４月１０日电（记者吴振东）近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内

这项实验成功以后，已经获得了国家重点研究项目的支持，这个实验也是世界性的突破。这个研究解决了之前存储技术上的重大缺陷。这个技术比现在的U盘读写速度快了1万倍。如果这个技术运用在生活中，那么我们的工作效率将提升到一个极高的层次。目前把这项技术成为“准非易失存储”就让我们一起来了解下这一伟大的技术。

目前的存储技术分为两大类：易失性存储、非易失性存储，准非易失存储，这三个是什么意思，有什么作用呢？其实这三个存储应用在外面的手机、电脑等等电子设备，让我们一起来了解下。

易失性存储

手机运行内存

这种存储技术应用在手机的运行内存、电脑的运行内存。它的全名为“随机存取记忆体”，相当于电脑上的移动存储。它在任何时候都可以读写，简称为RAM。RAM一般是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质。他就是我们的系统内存。这种存储技术在断电以后，就会立马消失。就像我们的电脑关机，手机关机，运行程序会关闭一样。

易失性存储分为两大类：SRAM和DRAM，比如手机的：6GB运行内存（静态SRAM），电脑的：6GB运行内存（动态DRAM）。

非易失性存储

电脑内存

这种存储应用在我们的电脑硬盘、手机存储、U盘等等。这种存储技术会让你的数据不会消失。就像我们把文件下载到C盘一样，这个数据会一直在那里放着，不会因为断电而消失。非易失性存储被分为两大类：ROM（只读内存）和Flash memory（闪存）。

准非易失存储

这个存储技术就是今年中国科学家新研发的技术。这个技术其实就是具备了“写入速度”与“非易失性”两种特性。你可以理解为电脑运行内存和硬盘内存两种特点的结合版。它的写入速度比现在的U盘要快1万倍，而且还具有可控存储性。

U盘的写入速度

普通的2.0接口的U盘写入速度为：5MB/s；写入速度就是你把文件复制到U盘的速度。

普通的3.0接口的U盘写入速度为：11MB/s；

而这个技术的写入速度是现在的1万倍，就等于说是：50GB/s；

如果这个技术运用在生活中，那么我们下载复制到U盘的速度就快了1万倍。如果运用在手机和电脑的运行内存上，可想而知电脑的工作效率会大大提升。不仅在生活中，在电子科技领域，如果中国比其他国家早一步研发应用的话，在科技领域，我们又领先其他国家一步。目前这个项目已经获得国家的大力支持，相信不久这个技术就会应用到我们的现实中。